GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ4RF9IGR - Hochleistungsfähiger 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F2GQ4RF9IGR von GigaDevice Semiconductor bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Embedded-Systeme. Dieser 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC verfügt über eine fortschrittliche SPI-Quad-I/O-Schnittstellentechnologie, die eine Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung mit einer Taktfrequenz von 120 MHz bei gleichzeitig extrem niedrigem Stromverbrauch im Versorgungsspannungsbereich von 1,7 V bis 2 V ermöglicht.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: Die 2-Gbit-Speicherorganisation (256M x 8) bietet ausreichend Kapazität für Firmware, Datenprotokollierung und Code-Speicherung in speicherbeschränkten Anwendungen.
- Schneller Datentransfer: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit 120-MHz-Taktfrequenz gewährleistet schnelle Lese-/Schreibvorgänge für zeitkritische Industrie- und Automobilsysteme.
- Energiesparendes Design: Die Betriebsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und energiebewusste Designs.
- Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-LGA (6x8 mm) mit freiliegendem Pad ermöglicht effizientes Wärmemanagement und hochdichte Leiterplattenlayouts.
- RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt globale Regulierungsstandards.
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser NAND-Flash-Speicher-IC wurde für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrieautomation, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt. Ob Sie IoT-Geräte der nächsten Generation, Steuergeräte für die Automobilindustrie, industrielle Steuerungen oder medizinische Diagnosegeräte entwickeln – der GD5F2GQ4RF9IGR bietet die Leistung, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, die Ihre geschäftskritischen Systeme benötigen.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Flash-Speicher - NAND |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 120 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 700µs |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-VLGA-Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-LGA (6x8) |
| RoHS |

GD5F2GQ4RF9IGR.pdf