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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYIGR - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F2GQ5REYIGR von GigaDevice Semiconductor ist eine leistungsstarke 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicherlösung, die für eingebettete Systeme, IoT-Geräte und industrielle Anwendungen entwickelt wurde, die einen zuverlässigen nichtflüchtigen Speicher erfordern.
Hauptmerkmale
- 2 Gbit (256 MB x 8) Speicherkapazität – Ausreichend Speicherplatz für Firmware, Datenprotokollierung und Anwendungscode
- SPI Quad I/O-Schnittstelle – Schnelle Datenübertragung mit 80 MHz Taktfrequenz für effiziente Lese-/Schreibvorgänge
- Betrieb mit niedriger Spannung (1,7 V ~ 2 V) – Energieeffizientes Design, ideal für batteriebetriebene und tragbare Geräte
- Industrieller Temperaturbereich (-40 °C ~ 85 °C) – Zuverlässige Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen
- Kompaktes 8-WSON (6x8)-Gehäuse – Platzsparendes SMD-Design für hochdichte Leiterplattenlayouts
- Schnelle Zugriffszeit (11 ns) – Schneller Datenabruf für zeitkritische Anwendungen
- SLC-NAND-Technologie – Überlegene Ausdauer und Datenspeicherung im Vergleich zu MLC/TLC-Alternativen
Anwendungen
Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Unterhaltungselektronik, intelligente Zähler und eingebettete Computerplattformen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Konformität: RoHS-konform. Vollständige Rückverfolgbarkeits- und Qualitätsdokumentation verfügbar.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 80 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 11 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
GD5F2GQ5REYIGR.pdf