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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GQ5REYIHR

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Recycling Electronic Components

GigaDevice GD5F2GQ5REYIHR - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher

Der GD5F2GQ5REYIHR von GigaDevice Semiconductor ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher, der für missionskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 2 Gbit Kapazität: Die 512 MB x 4-Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für eingebettete Systeme und Datenprotokollierungsanwendungen.
  • Hochgeschwindigkeitsschnittstelle: SPI Quad I/O mit QPI- und DTR-Unterstützung, 80 MHz Taktfrequenz für schnelle Datenübertragung
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: 1,7 V bis 2 V Versorgungsspannung, optimiert für batteriebetriebene und energieeffiziente Designs
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) gewährleistet zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen
  • SLC-NAND-Technologie: Überlegene Ausdauer und Datenspeicherung im Vergleich zu MLC/TLC-Alternativen
  • Schnelle Schreibleistung: 600 µs Seitenschreibzykluszeit, 11 ns Zugriffszeit
  • Kompakte Bauform: 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse mit freiliegender Kontaktfläche für das Wärmemanagement

Zielanwendungen

Ideal für Flugschreiber in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Systeme in der Automobilindustrie, industrielle SPS und HMIs, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsbasisstationen und alle Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Qualität & Konformität

RoHS- und REACH-konform. Vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation verfügbar. Autorisierter Vertrieb garantiert Originalkomponenten mit Herstellergarantie.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktserie GD5F
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 512 m x 4
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 80 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 600µs
Zugriffszeit 11 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8)

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