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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYIHY - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC
Der GD5F2GQ5REYIHY von GigaDevice Semiconductor ist ein leistungsstarker 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher, der speziell für industrielle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Ausgestattet mit fortschrittlichen Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen mit DTR-Unterstützung, ermöglicht dieser Speicher-IC schnelle Datenübertragungsraten von bis zu 80 MHz bei einer niedrigen Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 2 Gbit Kapazität mit 512M x 4 Speicherorganisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: 80 MHz Taktfrequenz mit 11 ns Zugriffszeit und 600 µs Schreibzyklus
- Flexible Schnittstelle: SPI mit Quad-I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung für vielseitige Systemintegration
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: 1,7 V bis 2 V Versorgungsspannung für energieeffiziente Ausführungen
- Industriequalität: Breiter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C
- Kompaktes Gehäuse: Platzsparendes 8-WSON (6x8mm) SMD-Gehäuse
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Datenprotokollierung, Firmware-Speicherung und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit SPI-Schnittstellenkompatibilität erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualität & Konformität
Diese Komponente wird über autorisierte Vertriebskanäle bezogen, wodurch vollständige Rückverfolgbarkeit und die Einhaltung der RoHS- und REACH-Richtlinien gewährleistet sind. Technische Datenblätter und Ressourcen zur Designunterstützung stehen Ihnen für Ihren Designprozess zur Verfügung.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 80 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 11 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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