GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5REYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5REYJGR - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher
Der GD5F2GQ5REYJGR von GigaDevice Semiconductor ist eine leistungsstarke 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicherlösung, die für industrielle und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die einen zuverlässigen, langlebigen, nichtflüchtigen Speicher erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Speicherdichte: 2 Gbit (256 MB) Kapazität im kompakten 8-WSON-Gehäuse
- Hohe Leistungsfähigkeit: 80 MHz Taktfrequenz mit 11 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
- Quad-I/O-Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle maximiert den Durchsatz bei minimaler Pin-Anzahl.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C für raue Umgebungen
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V reduziert den Stromverbrauch.
- SLC-NAND-Technologie: Überlegene Ausdauer und Datenspeicherung im Vergleich zu MLC/TLC-Alternativen
- Oberflächenmontage-Design: Das 8-WDFN/8-WSON-Gehäuse ermöglicht eine automatisierte Montage und platzsparende Layouts.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und alle Anwendungen, die eine zuverlässige Code-Speicherung, Datenprotokollierung oder Firmware-Updates unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Autorisierter Distributor: Wir liefern Ihnen Original-GigaDevice-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien für Ihre kritischen Designs.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Quad I/O |
| Taktfrequenz | 80 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 11 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |

GD5F2GQ5REYJGR.pdf