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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ5UEYIHY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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GD5F2GQ5UEYIHY - 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicherlösung
Der GD5F2GQ5UEYIHY von GigaDevice Semiconductor bietet leistungsstarken und zuverlässigen nichtflüchtigen Flash-Speicher für eingebettete Systeme, industrielle Anwendungen und IoT-Geräte. Dieser 2-Gbit-SPI-NAND-Flash-Speicher verfügt über fortschrittliche Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen mit DTR-Unterstützung und ermöglicht so schnelle Datenübertragungsraten von bis zu 104 MHz für anspruchsvolle Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: Die 2-Gbit-Speicherorganisation (512 MB x 4) bietet ausreichend Platz für Firmware, Datenprotokollierung und Anwendungscode.
- Hohe Leistung: Die Taktfrequenz von 104 MHz mit SPI Quad I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung gewährleistet schnelle Lese-/Schreibvorgänge.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C macht es ideal für raue Umgebungen
- Geringer Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V optimiert die Energieeffizienz.
- Kompakte Bauform: Platzsparendes 8-WSON (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
- SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur gewährleistet überragende Ausdauer und Datenspeicherung.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsausrüstung, Luft- und Raumfahrtanwendungen und alle Konstruktionen, die langlebige, rückverfolgbare Speicherkomponenten mit nachgewiesener Zuverlässigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Produktserie | GD5F |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 4 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 104 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 600µs |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (6x8) |
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