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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV256AL-10JLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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IS61LV256AL-10JLI-TR - Hochleistungsfähiger 256-Kbit-SRAM-Speicher-IC
Der IS61LV256AL-10JLI-TR von ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) ist ein hochzuverlässiger asynchroner 256-Kbit-SRAM-Speicherchip, der für eingebettete Systeme und industrielle Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem flüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer ultraschnellen Zugriffszeit von 10 ns und einer Speicherorganisation von 32K x 8 bietet dieser SRAM-IC herausragende Leistung für zeitkritische Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 10 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für leistungskritische Anwendungen.
- Optimale Speicherorganisation: Die 32K x 8-Konfiguration bietet eine flexible Datenspeicherarchitektur.
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 85 °C in industriellen Umgebungen
- Niederspannungsbetrieb: Versorgungsspannung 3,135 V bis 3,6 V für energieeffiziente Ausführungen
- Oberflächenmontagegehäuse: 28-BSOJ-Gehäuse (7,62 mm Breite) für kompakte Leiterplattenlayouts
- Parallele Schnittstelle: Standardisierte parallele Speicherschnittstelle für einfache Integration
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Anwendungen
Dieser SRAM-Speicher-IC eignet sich ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte, Telekommunikationsgeräte, Automobilelektronik, medizinische Instrumente und Datenpufferungsanwendungen, bei denen ein schneller, zuverlässiger flüchtiger Speicher unerlässlich ist.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 256 Kbit |
| Speicherorganisation | 32K x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10 ns |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Spannungsversorgung | 3,135 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 28-SOJ |
| RoHS |  |
IS61LV256AL-10JLI-TR.pdf