IS61WV6416EEBLL-10BLI

IS61WV6416EEBLL-10BLI - Hochleistungsfähiger asynchroner 1-Mbit-SRAM-Speicher

Der IS61WV6416EEBLL-10BLI von ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) ist ein hochwertiger 1-Megabit-SRAM-Chip (Static Random-Access Memory), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser asynchrone Hochgeschwindigkeits-SRAM bietet mit einer Zugriffszeit von 10 Nanosekunden eine herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Systeme, die eine schnelle und zuverlässige Datenspeicherung und -abfrage erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 10 ns gewährleistet schnelle Datenlese-/Schreibvorgänge für zeitkritische Anwendungen.
• Flexible Speicherorganisation: Die 64K x 16-Konfiguration bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen Speicherdichte und Schnittstelleneinfachheit.
• Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,4 V bis 3,6 V – unterstützt diverse Systemarchitekturen und Low-Power-Designs
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C. Der Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
• Parallele Schnittstelle: Standardisierte parallele Speicherschnittstelle vereinfacht die Integration mit Mikrocontrollern und Prozessoren.
• Oberflächenmontagegehäuse: 48-TFBGA-Gehäuse (6 x 8 mm) optimiert die Platinenplatznutzung
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.

Ideale Anwendungsbereiche

Diese SRAM-Speicherkomponente eignet sich hervorragend für Anwendungen, die eine schnelle Pufferung, einen Cache-Speicher oder eine temporäre Datenspeicherung erfordern, darunter industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte, Telekommunikationssysteme und batteriebetriebene IoT-Edge-Geräte.

Technische Spezifikationen

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