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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR

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Produktübersicht

Der IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR ist ein leistungsstarker asynchroner 1-Mbit-SRAM-Speicher-IC von ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer 64K x 16-Speicherorganisation und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 10 ns bietet diese Komponente zuverlässigen Datenspeicher mit geringer Latenz für unternehmenskritische Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Extrem schnelle Performance: Zugriffs- und Schreibzykluszeiten von 10 ns gewährleisten schnellen Datenabruf und -speicherung.
  • Flexible Stromversorgung: Breiter Spannungsbereich (2,4 V bis 3,6 V) unterstützt diverse Systemarchitekturen
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 48-TFBGA-Bauform (6x8) optimiert den Platzbedarf auf der Platine
  • Parallele Schnittstelle: Unkomplizierte Integration mit Mikroprozessoren und Controllern
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung
  • Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für automatisierte Montageprozesse

Typische Anwendungen

Dieser SRAM-IC eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen schnellen und zuverlässigen flüchtigen Speicher benötigen, darunter Industriesteuerungen, Automobilelektronik, Netzwerkgeräte, Medizingeräte und IoT-Edge-Computing-Plattformen. Seine asynchrone Architektur vereinfacht die Timing-Anforderungen und gewährleistet gleichzeitig eine gleichbleibende Leistung über extreme Temperaturbereiche hinweg.

Qualitäts- und Beschaffungsgarantie

Bei HQICKEY gewährleisten wir die Authentizität der Herkunft und die langfristige Betreuung aller Halbleiterkomponenten. Jede IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR-Einheit wird auf Qualität geprüft und von unserem technischen Supportteam unterstützt.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 64K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10 ns
Zugriffszeit 10 ns
Spannungsversorgung 2,4 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 48-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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