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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV12816EBLL-45BLI

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IS62WV12816EBLL-45BLI – Hochleistungsfähiges 2-Mbit-Asynchron-SRAM

Der IS62WV12816EBLL-45BLI von ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) ist ein hochzuverlässiger 2-Mbit-asynchroner SRAM-Speicher, der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Mit einer 128K x 16-Speicherorganisation und paralleler Schnittstelle bietet dieser flüchtige Speicher-IC eine schnelle Zugriffszeit von 45 ns und arbeitet in einem breiten Spannungsbereich von 2,2 V bis 3,6 V. Das kompakte 48-TFBGA-Gehäuse (6x8) für die Oberflächenmontage ermöglicht eine platzsparende Integration und gewährleistet gleichzeitig eine robuste Leistung über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.

Dieser SRAM-Chip wurde für Anwendungen entwickelt, die schnellen Datenzugriff und zuverlässigen temporären Speicher erfordern, und eignet sich ideal für Mikrocontrollersysteme, Datenpufferung, Cache-Speicher und Echtzeitverarbeitung. Die asynchrone Architektur macht eine Taktsynchronisation überflüssig, vereinfacht das Systemdesign und reduziert den Stromverbrauch.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 2 Mbit
Speicherorganisation 128K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45 ns
Zugriffszeit 45 ns
Spannungsversorgung 2,2 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 48-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 48-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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