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Micron Technology Inc.

M25PE10-VMN6TPBA TR

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Micron M25PE10-VMN6TPBA TR - Hochleistungsfähiger 1-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der M25PE10-VMN6TPBA TR von Micron Technology ist ein zuverlässiger 1-Mbit-SPI-Flash-Speicher (seriell) für eingebettete Systeme, die nichtflüchtige Datenspeicherung benötigen. Dieses Originalbauteil verfügt über eine Hochgeschwindigkeits-SPI-Schnittstelle mit bis zu 75 MHz und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die schnelle Lese-/Schreibvorgänge und geringen Stromverbrauch erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 75 MHz gewährleistet einen schnellen Datenzugriff.
  • Flexible Speicherorganisation: 128K x 8-Architektur für vielseitiges Datenmanagement
  • Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V, unterstützt verschiedene Systemdesigns
  • Industrieller Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-SOIC (3,90 mm Breite) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • Schnelle Schreibzyklen: 15 ms Wort schreiben, 3 ms Seite schreiben für effiziente Programmierung

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser NOR-Flash-Speicher-IC eignet sich perfekt für eingebettete Systeme, Firmware-Speicherung, Bootcode, Konfigurationsdaten und IoT-Geräte, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Zugriffszeiten benötigen.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8
Speicherschnittstelle SPI
Taktfrequenz 75 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ms, 3 ms
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SO
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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