M29W640GH70NA6F TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €81.368,95 EUR | €81.368,95 EUR |
| 15+ | €74.859,43 EUR | €1.122.891,45 EUR |
| 25+ | €73.232,06 EUR | €1.830.801,50 EUR |
| 50+ | €69.163,61 EUR | €3.458.180,50 EUR |
| 100+ | €61.026,71 EUR | €6.102.671,00 EUR |
| N+ | €12.205,34 EUR | Price Inquiry |
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Micron M29W640GH70NA6F TR - Hochleistungsfähiger 64-Mbit-Parallel-NOR-Flash-Speicher
Der M29W640GH70NA6F TR von Micron Technology Inc. ist eine hochwertige 64-Mbit-Parallel-NOR-Flash-Speicherlösung, die für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Halbleiterkomponente bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Zugriffszeit von 70 ns und flexiblen Speicherorganisationsoptionen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Duale Speicherorganisation: Konfigurierbar als 8M x 8 oder 4M x 16 für maximale Designflexibilität
- Schnelle Zugriffszeit: 70 ns Lesezugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
- Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V – unterstützt diverse Systemarchitekturen
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C. Der Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 48-TSOP I (18,40 mm Breite) optimiert die Platinenplatznutzung.
- Parallele Schnittstelle: Bewährte Schnittstellentechnologie für die unkomplizierte Integration
- RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich hervorragend für die Speicherung von Code, Firmware-Updates, Bootcode, Konfigurationsdaten und Datenprotokollierung für industrielle Steuerungen, Kfz-Steuergeräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und Luft- und Raumfahrtsysteme, bei denen langfristige Zuverlässigkeit und Datenerhaltung von entscheidender Bedeutung sind.
Warum Micron-Speicherlösungen wählen?
Micron Technology Inc. ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen und bietet bewährte Halbleiterlösungen, denen Ingenieure weltweit vertrauen. Der M29W640GH70NA6F TR steht für jahrzehntelange Fertigungsexzellenz und strenge Qualitätskontrolle und gewährleistet, dass Ihre Designs höchsten Ansprüchen an Leistung und Langlebigkeit genügen.
Technische Spezifikationen
Verwandte Produkte und Ressourcen
Entdecken Sie unsere umfassende Auswahl an Speicherhalbleiterbausteinen, darunter EEPROM-, Flash-, DRAM- und SRAM-Lösungen mit Kapazitäten von 64 Byte bis 6 Terabyte und I2C-, SPI- und Parallelschnittstellen für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der Industrie.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 64 Mbit |
| Speicherorganisation | 8 m x 8, 4 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70 ns |
| Zugriffszeit | 70 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 48-TSOP I |
| RoHS |

M29W640GH70NA6F TR.pdf