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Micron Technology Inc.

M39L0R8090U3ZE6F TR

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Micron M39L0R8090U3ZE6F TR - Multi-Chip-Package-Speicherlösung

Der M39L0R8090U3ZE6F TR von Micron Technology ist ein leistungsstarker Multi-Chip-Package (MCP), der 256 Mbit NOR-Flash und 512 Mbit Mobile LPDDR SDRAM in einem kompakten 133-VFBGA-SMD-Gehäuse vereint. Diese integrierte Speicherlösung bietet zuverlässigen nichtflüchtigen und flüchtigen Speicher für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen in den Bereichen Automobil, Industrie, Telekommunikation und Medizin.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Duale Speicherarchitektur: 256 Mbit NOR-Flash (16M x 16) + 512 Mbit Mobile LPDDR SDRAM (32M x 16) für Codeausführung und Datenpufferung
  • Schnelle Zugriffsleistung: Eine Zugriffszeit von 70 ns gewährleistet einen reaktionsschnellen Systembetrieb.
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: 1,7 V bis 1,95 V Versorgungsspannung, optimiert für mobile und batteriebetriebene Geräte
  • Breiter Temperaturbereich: -40 °C bis +85 °C (TA) für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Platzsparendes Design: Das 133-VFBGA-Gehäuse (8x8 mm) reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
  • Parallele Schnittstelle: Standard-Parallelbus für einfache Integration
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Ideale Anwendungsbereiche

Diese Speicherlösung wurde für Systeme entwickelt, die sowohl einen persistenten Codespeicher als auch einen schnellen Arbeitsspeicher benötigen, darunter Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und eingebettete Computerplattformen, bei denen Platzbedarf, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Micron-Speicherlösungen wählen?

Micron Technology ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet bewährte Zuverlässigkeit, umfassenden Support über den gesamten Lebenszyklus sowie detaillierte technische Dokumentation. Diese MCP-Lösung kombiniert die Vorteile der Execute-in-Place-Funktionalität von NOR-Flash mit dem schnellen Datenzugriff von LPDDR-SDRAM und stellt so ein optimiertes Speichersubsystem für Ihr Embedded-Design bereit.

Benötigen Sie technischen Support oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Team für Datenblätter, Referenzdesigns und individuelle Konfigurationsoptionen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig, flüchtig
Speicherformat Blitz, RAM
Technologie FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM
Speichergröße 256 Mbit, 512 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 16, 32 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 70 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 133-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 133-VFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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