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Micron Technology Inc.

M58LR128KB85ZB6F TR

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Micron M58LR128KB85ZB6F TR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der M58LR128KB85ZB6F TR von Micron Technology ist ein hochwertiger 128-Megabit-NOR-Flash-Speicher-IC, der für anspruchsvolle Embedded- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Zugriffszeit von 85 Nanosekunden und arbeitet effizient in einem Versorgungsspannungsbereich von 1,7 V bis 2 V, wodurch sie sich ideal für energieempfindliche Designs eignet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 128 Mbit Kapazität, organisiert als 8M x 16, bietet ausreichend nichtflüchtigen Speicher für Firmware, Konfigurationsdaten und Codeausführung.
  • Schnelle Zugriffsleistung: Eine Zugriffszeit von 85 ns bei einer Taktfrequenz von 66 MHz gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Niederspannungsbetrieb: Eine Versorgungsspannung von 1,7 V bis 2 V optimiert den Stromverbrauch in batteriebetriebenen und energieeffizienten Systemen.
  • Industrieller Temperaturbereich: Ausgelegt für den Betrieb bei -40 °C bis 85 °C, geeignet für raue Umgebungsbedingungen
  • Parallele Schnittstelle: Die standardisierte parallele Schnittstelle vereinfacht die Integration mit Mikrocontrollern, FPGAs und eingebetteten Prozessoren.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 56-VFBGA-Bauform (7,7 x 9 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte in kompakten Designs.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für bleifreie Fertigung

Typische Anwendungen

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich perfekt für industrielle Automatisierungssteuerungen, Kfz-Steuergeräte, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte, eingebettete Systeme, die Code-Speicherung und -Ausführung, Firmware-Updates und die Beibehaltung von Konfigurationsdaten in unternehmenskritischen Anwendungen erfordern.

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Vollständige technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 66 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 85 ns
Zugriffszeit 85 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 56-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 56-VFBGA (7,7x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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