MB85RC04PNF-G-JNE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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RAMXEED MB85RC04PNF-G-JNE1 - Hochleistungsfähiger 4-Kbit-FRAM-Speicher-IC
Der MB85RC04PNF-G-JNE1 ist ein hochmodernes 4-Kbit-Ferroelektrisches-RAM (FRAM) -Speichergerät von RAMXEED, das für außergewöhnliche Leistung bei industriellen und eingebetteten Anwendungen entwickelt wurde, die nichtflüchtigen Speicher mit ultraschnellen Schreibgeschwindigkeiten und praktisch unbegrenzter Lebensdauer erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Überlegene FRAM-Technologie: Kombiniert die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datensicherheit von Flash-Speicher und ermöglicht so sofortige Schreibvorgänge ohne Verschleißprobleme.
- Hochgeschwindigkeits-I2C-Schnittstelle: Die Taktfrequenz von 400 kHz ermöglicht eine schnelle Datenübertragung und Systemintegration.
- Ultraschnelle Zugriffszeit: Eine Zugriffszeit von 900 ns gewährleistet minimale Latenzzeiten für zeitkritische Anwendungen.
- Breiter Betriebsspannungsbereich: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V bietet Flexibilität für verschiedene Systemdesigns.
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C. Der Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-SOIC/8-SOP-Footprint optimiert die Platinenplatznutzung.
- Nahezu unbegrenzte Lebensdauer: 10 Billionen (10^13) Lese-/Schreibzyklen – ideal für Datenprotokollierung und häufige Aktualisierungen
- Geringer Stromverbrauch: Energieeffizientes Design verlängert die Akkulaufzeit in tragbaren Geräten
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für industrielle Automatisierung, intelligente Zähler, medizinische Geräte, Automobilsysteme, IoT-Sensoren, Datenlogger und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit hoher Schreibbeständigkeit erfordern.
Technische Spezifikationen
Warum FRAM gegenüber herkömmlichem Speicher wählen?
Im Gegensatz zu EEPROM- und Flash-Speichern, deren Leistung nach Tausenden von Schreibzyklen nachlässt, bietet die FRAM-Technologie nahezu verzögerungsfreie Schreibvorgänge, keine Notwendigkeit zum Löschen von Seiten und eine außergewöhnliche Lebensdauer. Dadurch ist der MB85RC04PNF-G-JNE1 die optimale Wahl für Anwendungen, die häufige Datenaktualisierungen und langfristige Zuverlässigkeit erfordern.
Qualität & Konformität
Dieses Produkt ist RoHS-konform und erfüllt somit internationale Umweltstandards für elektronische Bauteile. RAMXEED unterzieht seine Produkte strengen Qualitätskontrollen, um gleichbleibende Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 4Kbit |
| Speicherorganisation | 512 x 8 |
| Speicherschnittstelle | I2C |
| Taktfrequenz | 400 kHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 900 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |

MB85RC04PNF-G-JNE1.pdf