MB85RC04VPNF-G-JNE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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RAMXEED MB85RC04VPNF-G-JNE1 - Hochleistungsfähige 4-Kbit-FRAM-Speicherlösung
Der MB85RC04VPNF-G-JNE1 von RAMXEED repräsentiert modernste ferroelektrische RAM-Technologie (FRAM) und bietet herausragende Leistung im nichtflüchtigen Speicher für unternehmenskritische Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Luft- und Raumfahrt. Dieses 4-Kbit-FRAM-Baustein vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher und bietet praktisch unbegrenzte Schreibzyklen (10^13 Zyklen) bei extrem niedrigem Stromverbrauch – ideal für Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung und Echtzeit-Parametererhaltung in eingebetteten Systemen.
Diese für den Einsatz in rauen Umgebungen konzipierte Speicherkomponente in Industriequalität arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Die serielle I²C-Schnittstelle (1 MHz Taktfrequenz) vereinfacht die Integration und minimiert die Anzahl der Pins. Dadurch eignet sie sich ideal für platzsparende Leiterplattendesigns in IoT-Geräten, Smart Metern, Medizingeräten und industriellen Steuerungen.
Vollständige technische Spezifikationen
Hauptmerkmale und Vorteile
- Extrem schnelle Schreibleistung: Zugriffszeit von 550 ns mit sofortigem, nichtflüchtigem Speicher – keine Schreibverzögerungen oder Batterie-Backup erforderlich
- Außergewöhnliche Langlebigkeit: 10 Billionen (10^13) Schreib-/Löschzyklen, wodurch die bei Flash- und EEPROM-Speichern üblichen Verschleißprobleme entfallen.
- Energiesparender Betrieb: Minimaler Stromverbrauch im aktiven und Standby-Modus verlängert die Akkulaufzeit in tragbaren und ferngesteuerten Anwendungen.
- Breiter Spannungsbereich: Kompatibilität mit 3 V bis 5,5 V vereinfacht die Integration in Mehrspannungssysteme.
- Industrieller Temperaturbereich: Bewährte Zuverlässigkeit von -40 °C bis +85 °C für Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung und im Außenbereich.
- Kompaktes 8-SOP-Gehäuse: Platzsparendes Oberflächenmontage-Design, optimiert für hochdichte Leiterplattenlayouts
- I2C-Schnittstelle: Der branchenübliche serielle Zweidrahtbus reduziert die Anzahl der Pins und vereinfacht die Kommunikation zwischen mehreren Geräten.
- Datenspeicherung: Über 10 Jahre bei 85 °C ohne Stromversorgung, wodurch die langfristige Integrität der Konfigurations- und Kalibrierungsdaten gewährleistet wird.
Typische Anwendungen
- Intelligente Stromzähler und Energiemanagementsysteme
- Industrielle SPS und Prozessleittechnik
- Kfz-Steuergeräte und Karosseriesteuergeräte
- Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
- IoT-Edge-Geräte und drahtlose Sensornetzwerke
- Avionik und Flugdatenschreiber für die Luft- und Raumfahrt
- Konfigurationsspeicher für FPGAs und Mikrocontroller
- Echtzeituhr-Backup (RTC) und Ereignisprotokollierung
Warum RAMXEED FRAM-Technologie wählen?
Die ferroelektrischen RAM-Lösungen von RAMXEED bieten unübertroffene Zuverlässigkeit für Anwendungen, die häufige Datenaktualisierungen, sofortigen Schutz vor Stromausfall und lange Betriebszeiten erfordern. Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash- oder EEPROM-Speichern eliminiert die FRAM-Technologie Schreibverzögerungen, reduziert die Systemkomplexität durch den Wegfall von Backup-Batterien und bietet eine deterministische Schreibleistung, die für Echtzeit-Embedded-Systeme unerlässlich ist.
Verwandte Ressourcen und Produktkategorien
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Alle über HQICKEY erhältlichen RAMXEED-Produkte stammen von autorisierten Händlern und unterliegen unserem Qualitätssicherungsprogramm, das Echtheit und volle Herstellergarantie gewährleistet.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 4Kbit |
| Speicherorganisation | 512 x 8 |
| Speicherschnittstelle | I2C |
| Taktfrequenz | 1 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 550 ns |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 5,5 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |

MB85RC04VPNF-G-JNE1.pdf