MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC16VPNF-G-AWERE2 - Hochleistungs-FRAM-Speicherlösung

Der MB85RC16VPNF-G-AWERE2 von RAMXEED ist ein hochmoderner 16-Kbit-Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FRAM), der für Anwendungen entwickelt wurde, die eine schnelle, zuverlässige und nichtflüchtige Datenspeicherung erfordern. Dieser industrietaugliche Speicherchip vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher und eignet sich daher ideal für Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung und unternehmenskritische eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultraschnelle Schreibleistung: Im Gegensatz zu herkömmlichen EEPROM- oder Flash-Speichern ermöglicht die FRAM-Technologie eine praktisch unbegrenzte Schreibausdauer (10¹⁵ Zyklen) ohne Schreibverzögerungen und gewährleistet so eine schnelle Datenerfassung und Systemreaktionsfähigkeit.
• Geringer Stromverbrauch: Diese Speicherlösung arbeitet mit einer Spannung von 3 V bis 5,5 V und benötigt nur minimalen aktiven Strom, wodurch die Akkulaufzeit in tragbaren Geräten und IoT-Anwendungen verlängert wird.
• Industrieller Temperaturbereich: Ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C, gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen der Automobil-, Luft- und Raumfahrt- sowie Industriebranche.
• I2C-Schnittstelle: Die standardmäßige serielle I2C-Schnittstelle (1 MHz Taktfrequenz) vereinfacht die Integration mit Mikrocontrollern und Prozessoren und minimiert gleichzeitig die Anzahl der Pins.
• Kompaktes 8-SOP-Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 8-SOIC-Gehäuse (3,90 mm Breite) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte bei platzbeschränkten Designs.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieses FRAM-Speicherbaustein eignet sich perfekt für:

• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Intelligente Zähler und Energiemanagement
• Fahrzeugelektronik (ADAS, Infotainment, Steuergerät)
• Medizinprodukte, die Datenintegrität erfordern
• Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
• IoT-Edge-Geräte und Sensornetzwerke
• Speicherung von Konfigurations- und Kalibrierungsdaten

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Speichertechnologien. Dank sofortiger Schreibfähigkeit, überlegener Lebensdauer und inhärenter Strahlungsresistenz entfällt bei FRAM der Bedarf an komplexen Wear-Leveling-Algorithmen und Backup-Batterien. Der MB85RC16VPNF-G-AWERE2 bietet Zuverlässigkeit auf Enterprise-Niveau in einem kostengünstigen und einfach zu implementierenden Paket.

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