MB85RC16VPNF-G-JNN1E1

RAMXEED MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 - Hochleistungsfähiger 16-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 von RAMXEED ist ein hochwertiger 16-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicher-IC (FRAM), der für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und eingebettete Systeme entwickelt wurde und nichtflüchtigen Speicher mit außergewöhnlicher Ausdauer und hohen Schreibgeschwindigkeiten erfordert. Diese fortschrittliche FRAM-Technologie vereint die Vorteile von RAM-ähnlicher Leistung mit nichtflüchtiger Datenspeicherung und eignet sich daher ideal für Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung und unternehmenskritische Anwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• 16-Kbit-FRAM-Technologie: Ferroelektrisches RAM bietet im Vergleich zu herkömmlichem EEPROM eine nahezu unbegrenzte Schreibzyklenzahl (10^13 Zyklen).
• Schnelle Zugriffszeit: Die Zugriffszeit von 550 ns ermöglicht schnelle Lese-/Schreibvorgänge ohne Leistungsengpässe.
• I2C-Schnittstelle: Der branchenübliche I2C-Bus (1-MHz-Takt) vereinfacht die Integration in bestehende Designs.
• Breiter Betriebsspannungsbereich: Der Versorgungsspannungsbereich von 3 V bis 5,5 V bietet Flexibilität für verschiedene Systemarchitekturen.
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C. Der Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
• Kompaktes 8-SOIC-Gehäuse: Platzsparendes Oberflächenmontage-Design (3,90 mm Breite) für hochdichte Leiterplattenlayouts
• Geringer Stromverbrauch: Die FRAM-Technologie verbraucht bei Schreibvorgängen deutlich weniger Strom als EEPROM.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Typische Anwendungen

• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Automobilelektronik und Infotainment
• Intelligente Zähler und Energiemanagement
• Medizinprodukte und Diagnosegeräte
• IoT-Sensoren und Edge-Computing-Geräte
• Speicherung von Konfigurations- und Kalibrierungsdaten
• Ereignisprotokollierung und Blackbox-Recorder

Technische Spezifikationen

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) stellt einen bedeutenden Fortschritt gegenüber herkömmlichen nichtflüchtigen Speichertechnologien dar. Im Gegensatz zu EEPROM oder Flash-Speicher bietet FRAM folgende Vorteile:

• Überlegene Lebensdauer: 10 Billionen Schreibzyklen gegenüber 100.000–1 Million bei EEPROM
• Höhere Schreibgeschwindigkeit: Schreiben mit Busgeschwindigkeit ohne Verzögerungen oder Seitenpuffer
• Geringerer Stromverbrauch: Für Schreibvorgänge werden keine Hochspannungsladungspumpen benötigt.
• Sofortiges Schreiben: Keine Löschzyklen erforderlich, wodurch die Systemkomplexität reduziert wird.
• Datenaufbewahrung: Über 10 Jahre bei 85 °C, über 150 Jahre bei Raumtemperatur

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Bei HQICKEY beziehen wir alle Komponenten direkt von autorisierten Distributoren und Herstellern und garantieren so 100 % authentische RAMXEED-Produkte mit vollständiger Rückverfolgbarkeit. Jeder MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 IC wird mit Herstellergarantie geliefert und erfüllt strenge Qualitätsstandards für industrielle und kommerzielle Anwendungen.

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