MB85RC256LYPN-G-AMEWE1

MB85RC256LYPN-G-AMEWE1 - Hochzuverlässiger 256-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RC256LYPN-G-AMEWE1 ist ein hochwertiger 256-Kbit-Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FRAM) von RAMXEED. Er wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, die außergewöhnliche Datenspeicherung, extrem niedrigen Stromverbrauch und nahezu unbegrenzte Schreibzyklen erfordern. Diese fortschrittliche Speicherlösung vereint die Datensicherheit von Flash-Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer von SRAM und eignet sich daher ideal für die Luft- und Raumfahrt, die Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur.

Hauptmerkmale und Vorteile

• 256-Kbit-FRAM-Technologie: Nichtflüchtiger Speicher mit sofortiger Schreibfähigkeit und ohne Schreibverzögerung
• Außergewöhnliche Langlebigkeit: 10 Billionen (10^13) Lese-/Schreibzyklen – weit mehr als herkömmliche EEPROM- und Flash-Speicher.
• Extrem niedriger Stromverbrauch: Minimaler Stromverbrauch im aktiven und Standby-Modus für batteriebetriebene Anwendungen
• Hohe Schreibgeschwindigkeit: Schnelle Schreibvorgänge ohne Löschzyklen oder Seitenpuffer
• Datenspeicherung: Über 10 Jahre bei 85 °C, wodurch langfristige Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen gewährleistet wird.
• Industriequalität: Ausgelegt für erweiterte Temperaturbereiche und anspruchsvolle Betriebsbedingungen
• Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für die automatisierte Montage und die Massenfertigung

Anwendungen

Dieser FRAM-Speicher-IC eignet sich perfekt für eingebettete Systeme, die häufige Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, Ereignisaufzeichnung und Parametererhaltung erfordern:

• Flugsteuerungs- und Avioniksysteme für die Luft- und Raumfahrt
• Kfz-Steuergeräte, Fahrerassistenzsysteme und Blackbox-Recorder
• Industrieautomation und SPS-Steuerungen
• Medizinische Diagnosegeräte und Patientenüberwachungsgeräte
• Intelligente Zähler und Energiemanagementsysteme
• Telekommunikations-Basisstationen und Netzwerkgeräte

Technische Spezifikationen

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) stellt einen Durchbruch in der Speichertechnologie dar und bietet die perfekte Balance zwischen Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz. Im Gegensatz zu herkömmlichem Flash- oder EEPROM benötigt FRAM keine Löschzyklen, eliminiert Schreibverzögerungen und bietet praktisch unbegrenzte Lebensdauer – was ihn zur optimalen Wahl für datenintensive Embedded-Anwendungen macht, bei denen höchste Zuverlässigkeit unerlässlich ist.

Qualität und Zuverlässigkeit

Als zuverlässiger Lieferant hochzuverlässiger Halbleiterkomponenten stellen wir sicher, dass jede MB85RC256LYPN-G-AMEWE1-Einheit strenge Qualitätsstandards für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und anderen Industriezweigen erfüllt. Unsere rigorosen Test- und Qualifizierungsprozesse garantieren eine gleichbleibende Leistung über den gesamten Betriebstemperaturbereich.

Verwandte Produkte und Ressourcen

Entdecken Sie unsere umfassende Auswahl an Speicherlösungen, darunter SRAM, DRAM, Flash, EEPROM und spezialisierte Speicher-ICs für eingebettete Systeme. Besuchen Sie unsere Homepage , um unser gesamtes Sortiment an hochzuverlässigen Komponenten kennenzulernen, oder informieren Sie sich in unserem technischen Blog über aktuelle Erkenntnisse zu Speichertechnologien, Anwendungsbeispiele und Branchentrends.

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