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RAMXEED

MB85RC256TYPN-GS-AME1

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MB85RC256TYPN-GS-AME1 - Hochzuverlässiger 256-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RC256TYPN-GS-AME1 ist ein hochwertiger 256-Kbit-Ferroelektrischer Random Access Memory (FRAM)-integrierter Schaltkreis, der von RAMXEED hergestellt wird und für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Ausdauer erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Nichtflüchtige Speichertechnologie: FRAM kombiniert die Geschwindigkeit von SRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher und bietet so sofortige Schreibgeschwindigkeiten ohne Verschleißprobleme.
  • Hohe Ausdauer: Unterstützt praktisch unbegrenzte Lese-/Schreibzyklen (10^14 Zyklen) und übertrifft damit herkömmliche EEPROM- und Flash-Speicher deutlich.
  • Extrem niedriger Stromverbrauch: Ideal für batteriebetriebene und energieempfindliche Anwendungen
  • Schnelle Schreibleistung: Keine Schreibverzögerungen – Daten werden mit Busgeschwindigkeit geschrieben.
  • Zuverlässigkeit auf Industrieniveau: Entwickelt für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Medizintechnik und Telekommunikation.
  • Datenaufbewahrung: Gewährleistet die Datenintegrität auch über längere Zeiträume ohne Stromversorgung.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der MB85RC256TYPN-GS-AME1 wurde für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt, in denen Datenintegrität und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind:

  • Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Flugdatenschreiber, Avioniksysteme, Satellitenkommunikation
  • Automobilindustrie: Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Motorsteuergeräte, Batteriemanagement
  • Industrieautomation: SPS, Robotik, intelligente Zähler, Datenerfassung
  • Medizinprodukte: Patientenüberwachung, Diagnosegeräte, implantierbare Geräte
  • Telekommunikation: Basisstationen, Netzwerkgeräte, IoT-Geräte

Warum FRAM-Technologie wählen?

Im Gegensatz zu herkömmlichen Flash- oder EEPROM-Speichern bietet die FRAM-Technologie Folgendes:

  • Keine Begrenzung der Schreibausdauer – schreiben Sie so oft wie nötig ohne Qualitätsverlust.
  • Sofortige Schreibfähigkeit – keine Seitenlöschzyklen erforderlich
  • Geringerer Stromverbrauch bei Schreibvorgängen
  • Überragende Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen
  • Vereinfachtes Systemdesign ohne benötigte Schreibpufferung

Qualität & Konformität

Der MB85RC256TYPN-GS-AME1 von RAMXEED erfüllt strenge Qualitätsstandards, einschließlich RoHS-Konformität und Qualifikationen für die Automobilindustrie, und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung auch bei anspruchsvollsten Anwendungen.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller RAMXEED
Produktserie MB85RC256T
Verpackung Rohr
Speichertyp FRAM (Ferroelektrischer RAM)
Speicherformat Nicht flüchtig
Technologie Ferroelektrisch
Speichergröße 256 Kbit (32K x 8)
Speicherorganisation 32.768 x 8 Bit
Speicherschnittstelle I2C-Schnittstelle
Taktfrequenz Bis zu 1 MHz (Standardmodus) / 3,4 MHz (Hochgeschwindigkeitsmodus)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite Keine Schreibverzögerung (Busgeschwindigkeit)
Zugriffszeit Schnelles Lesen/Schreiben in Busgeschwindigkeit
Spannungsversorgung 2,7 V bis 3,6 V / 4,5 V bis 5,5 V
Betriebstemperatur -40 °C bis +85 °C (Industriequalität)
Grad Industrie
Qualifikation AEC-Q100 Automobilqualifizierung
Montageart Oberflächenmontage (SMD)
Verpackung / Gehäuse 8-SOP (Small Outline Package)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP

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