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RAMXEED

MB85RC256VPF-G-BCE1

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MB85RC256VPF-G-BCE1 - Hochzuverlässiger 256-Kbit-FRAM-Speicher

Der MB85RC256VPF-G-BCE1 ist eine Premium-FRAM-Lösung (Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher) von RAMXEED, die für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser nichtflüchtige Speicher vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Zuverlässigkeit von EEPROM und bietet praktisch unbegrenzte Schreibzyklen und außergewöhnliche Datenerhaltung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 256 Kbit Speicherkapazität – organisiert als 32K x 8 für flexible Datenspeicherung
  • Schnelle Zugriffszeit – 550 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf
  • I2C-Schnittstelle – Industriestandard-Taktfrequenz von 1 MHz für einfache Integration
  • Breiter Betriebsbereich – Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis 85 °C in anspruchsvollen Umgebungen
  • Flexibles Netzteil – Betriebsspannung von 2,7 V bis 5,5 V, geeignet für verschiedene Systemdesigns
  • Oberflächenmontagegehäuse – Kompaktes 8-SOIC-Gehäuse (5,30 mm Breite) für platzsparende Leiterplattenlayouts
  • Überragende Langlebigkeit – Die FRAM-Technologie ermöglicht 10 Billionen Schreibzyklen und übertrifft damit herkömmliche EEPROMs bei Weitem.
  • Sofortiges Schreiben – Im Gegensatz zu Flash- oder EEPROM-Speichern sind keine Schreibverzögerungen oder Seitenpuffer erforderlich.

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige FRAM eignet sich ideal für die Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, Ereignisaufzeichnung und Parametererhaltung in industriellen Steuerungen, Kfz-Steuergeräten, medizinischen Geräten, intelligenten Zählern und Luft- und Raumfahrtsystemen, wo Datenintegrität und Langlebigkeit von größter Bedeutung sind.

Technische Spezifikationen

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Speichertechnologien. Im Gegensatz zu Flash-Speichern, deren Leistung nach Tausenden von Schreibzyklen abnimmt, zeichnet sich FRAM durch außergewöhnliche Langlebigkeit und praktisch unbegrenzte Schreibzyklen aus. Die sofortige Schreibfähigkeit macht komplexe Schreibalgorithmen und Seitenpuffer überflüssig, vereinfacht so das Design, verbessert die Systemzuverlässigkeit und reduziert den Stromverbrauch.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller RAMXEED
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat FRAM
Technologie FRAM (Ferroelektrischer RAM)
Speichergröße 256 Kbit
Speicherorganisation 32K x 8
Speicherschnittstelle I2C
Taktfrequenz 1 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 550 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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