MB85RC256VPF-G-JNERE2

MB85RC256VPF-G-JNERE2 - Hochzuverlässiger 256-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RC256VPF-G-JNERE2 ist ein hochwertiger 256-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicher (FRAM), der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese nichtflüchtige Speicherlösung vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datenspeicherung von EEPROM und bietet so herausragende Leistung ohne die Schreibzyklenbeschränkungen herkömmlicher Flash-Speicher.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Extrem schnelle Schreibleistung: Die Zugriffszeit von 550 ns ermöglicht eine schnelle Datenprotokollierung und Systemaktualisierungen in Echtzeit.
• Nahezu unbegrenzte Lebensdauer: 10 Billionen (10^13) Lese-/Schreibzyklen – ideal für datenintensive Anwendungen
• Echte nichtflüchtige Speicherung: Speichert Daten über 10 Jahre lang ohne Stromversorgung und gewährleistet so die Integrität kritischer Daten.
• Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 5,5 V mit einer Temperaturtoleranz von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
• Geringer Stromverbrauch: Minimaler Stromverbrauch im aktiven und Standby-Modus verlängert die Akkulaufzeit in tragbaren Systemen.
• Industriestandard-I2C-Schnittstelle: 1 MHz Taktfrequenz für nahtlose Integration mit Mikrocontrollern und eingebetteten Systemen

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser FRAM-Speicher-IC wurde speziell für anspruchsvolle eingebettete Systeme entwickelt, die Folgendes erfordern:

• Datenprotokollierung und Ereignisaufzeichnung in industriellen Steuerungssystemen
• Konfigurationsspeicherung und Parametererhaltung in Kfz-Steuergeräten
• Patientendatenpufferung in medizinischen Diagnosegeräten
• Flugdatenaufzeichnungs- und Avioniksysteme in Luft- und Raumfahrtanwendungen
• Speicherung der Netzwerkkonfiguration in der Telekommunikationsinfrastruktur
• Intelligente Mess- und Energiemanagementsysteme

Warum FRAM-Technologie wählen?

Im Gegensatz zu herkömmlichen EEPROM- oder Flash-Speichern ermöglicht die FRAM-Technologie sofortige Schreibvorgänge ohne Verzögerungen und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die häufige Datenaktualisierungen erfordern. Der ferroelektrische Speichermechanismus gewährleistet die Datenpersistenz ohne Batterie-Backup und beseitigt gleichzeitig die Verschleißprobleme, die bei ladungsbasierten Speichertechnologien auftreten können.

Qualität & Konformität

Diese Komponente erfüllt die RoHS-Richtlinien und wird unter strengen Qualitätskontrollverfahren gefertigt, um Zuverlässigkeit in geschäftskritischen Anwendungen zu gewährleisten. Das 8-SOP-SMD-Gehäuse ermöglicht eine automatisierte Bestückung und platzsparende Leiterplattenlayouts.

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