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MB85RC512TYPN-G-AWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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RAMXEED MB85RC512TYPN-G-AWE1 - Hochleistungsfähiger 512-Kbit-FRAM-Speicher-IC
Der MB85RC512TYPN-G-AWE1 ist ein 512-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicher-IC (FRAM) (64K x 8) mit I²C-Schnittstelle und herausragenden Leistungseigenschaften. Diese nichtflüchtige Speicherlösung arbeitet mit 3,4 MHz und einer schnellen Zugriffszeit von 130 ns. Dadurch eignet sie sich ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation und der Telekommunikation, die zuverlässige Datenspeicherung und hohe Ausdauer erfordern. Dank des erweiterten Temperaturbereichs von -40 °C bis 125 °C und der breiten Versorgungsspannung von 1,8 V bis 3,6 V bietet dieses oberflächenmontierbare 8-DFN-Gehäuse robuste Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen. RoHS-konform und mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 512 Kbit |
| Speicherorganisation | 64K x 8 |
| Speicherschnittstelle | I2C |
| Taktfrequenz | 3,4 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 130 ns |
| Spannungsversorgung | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RC512TYPN-G-AWE1.pdf