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MB85RC512TYPN-G-AWEWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Der MB85RC512TYPN-G-AWEWE1 von RAMXEED ist ein leistungsstarker, nichtflüchtiger 512-Kbit-FRAM-Speicherchip (ferroelektrisches RAM) mit I²C-Schnittstelle für nahtlose Integration. Mit einer 64K x 8-Organisation, einer Taktfrequenz von 3,4 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 130 ns bietet dieser FRAM überragende Leistung für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Der MB85RC512TYPN-G-AWEWE1 arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 125 °C mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 3,6 V und zeichnet sich durch außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Langlebigkeit aus. Er ist im 8-VDFN-Gehäuse (5x6) für die Oberflächenmontage erhältlich und wird in Gurtverpackung für die automatisierte Montage geliefert. Umfassende Herstellerdokumentation und Unterstützung durch autorisierte Distributoren sind verfügbar.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 512 Kbit |
| Speicherorganisation | 64K x 8 |
| Speicherschnittstelle | I2C |
| Taktfrequenz | 3,4 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 130 ns |
| Spannungsversorgung | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RC512TYPN-G-AWEWE1.pdf