MB85RS256TYPNF-G-AWE2

MB85RS256TYPNF-G-AWE2 - Hochzuverlässiger 256-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RS256TYPNF-G-AWE2 ist ein hochmoderner 256-Kbit-FRAM-Chip (Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher), der für unternehmenskritische Anwendungen mit hohen Anforderungen an Ausdauer, ultraschnelle Schreibgeschwindigkeiten und geringen Stromverbrauch entwickelt wurde. Diese nichtflüchtige Speicherlösung von RAMXEED vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datenspeicherung von Flash-Speicher und eignet sich daher ideal für die Luft- und Raumfahrt, die Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Medizintechnik und Telekommunikationsausrüstung.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Extrem hohe Lebensdauer: Die FRAM-Technologie ermöglicht 10 Billionen (10^13) Lese-/Schreibzyklen und übertrifft damit herkömmliche EEPROM- und Flash-Speicher bei Weitem.
• Blitzschnelle Schreibleistung: Daten werden mit Busgeschwindigkeit ohne Schreibverzögerungen geschrieben – keine Seitenpuffer oder Löschzyklen erforderlich
• Echte nichtflüchtige Speicherung: Speichert Daten über 10 Jahre lang ohne Stromversorgung und gewährleistet so die Integrität kritischer Daten.
• Energiesparender Betrieb: Minimaler Stromverbrauch im aktiven und Standby-Modus verlängert die Akkulaufzeit in tragbaren Geräten.
• Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von -40 °C bis +125 °C mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 3,6 V.
• Industriestandard-SPI-Schnittstelle: Einfache Integration mit Mikrocontrollern und Prozessoren mit einer Taktfrequenz von bis zu 33 MHz.
• Kompaktes 8-SOP-Gehäuse: Platzsparendes Oberflächenmontage-Design für hochdichte Leiterplattenlayouts

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser FRAM-Speicherchip zeichnet sich durch seine Leistungsfähigkeit in anspruchsvollen Umgebungen aus, in denen Datenintegrität, Schreibausdauer und Energieeffizienz von größter Bedeutung sind:

• Flugdatenschreiber und Avioniksysteme für die Luft- und Raumfahrt
• Steuergeräte für Kraftfahrzeuge, Fahrerassistenzsysteme und Ereignisdatenschreiber
• Industrielle SPS, intelligente Zähler und Prozessleittechnik
• Medizinische Implantate und Diagnosegeräte
• Telekommunikations-Basisstationen und Netzwerkinfrastruktur
• IoT-Edge-Geräte und Sensornetzwerke
• Anwendungen zur Datenprotokollierung und Konfigurationsspeicherung

Technische Spezifikationen

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrisches RAM (FRAM) stellt einen Paradigmenwechsel in der nichtflüchtigen Speichertechnologie dar. Im Gegensatz zu Flash- oder EEPROM-Speichern, die Hochspannungs-Ladungspumpen und Löschzyklen im Millisekundenbereich benötigen, schreibt FRAM Daten durch Polarisation ferroelektrischer Kristalle mit der gleichen Geschwindigkeit wie SRAM. Dieser grundlegende Unterschied eliminiert Schreibverzögerungen, verlängert die Lebensdauer drastisch und reduziert den Stromverbrauch – wodurch FRAM die optimale Wahl für Anwendungen mit häufigen Datenaktualisierungen, strengen Energiebudgets oder extremen Zuverlässigkeitsanforderungen ist.

Qualität & Konformität

Der MB85RS256TYPNF-G-AWE2 erfüllt die strengen RoHS-Umweltstandards und gewährleistet so einen sicheren Einsatz auf globalen Märkten. Die rigorosen Qualitätskontrollprozesse von RAMXEED garantieren eine gleichbleibende Leistung in allen Temperaturbereichen der Automobil-, Industrie- und Luftfahrtindustrie.

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