MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2

MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 - 256Kbit FRAM-Speicher-IC

Der MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 ist ein leistungsstarker 256-Kbit-Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FRAM), der für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt wurde, die nichtflüchtigen Speicher mit außergewöhnlicher Ausdauer und hohen Schreibgeschwindigkeiten erfordern. Diese fortschrittliche Speicherlösung vereint die Vorteile von RAM-ähnlicher Leistung mit nichtflüchtiger Datenspeicherung und eignet sich daher ideal für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: 33-MHz-SPI-Schnittstelle mit ultraschneller Zugriffszeit von 13 ns für schnelle Datenverarbeitung
• Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 125 °C, ideal für raue Industrieumgebungen
• Flexible Stromversorgung: Breiter Spannungsbereich (1,8 V bis 3,6 V) für vielseitige Systemintegration
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-SOIC (3,90 mm Breite) für platzsparende Designs
• Überlegene Langlebigkeit: Die FRAM-Technologie ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichem EEPROM praktisch unbegrenzte Schreibzyklen.
• Sofortiges Schreiben: Keine Schreibverzögerungen – Daten werden ohne Seitenpuffer sofort gespeichert.
• Geringer Stromverbrauch: Energieeffizienter Betrieb, ideal für batteriebetriebene Anwendungen

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser FRAM-Speicher-IC wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, darunter:

• Flugsteuerungssysteme und Avionik für die Luft- und Raumfahrt
• Steuergeräte für Kraftfahrzeuge und sicherheitskritische Systeme
• Industrielle Automatisierung und Prozesssteuerung
• Datenprotokollierung und Konfigurationsspeicherung von Medizinprodukten
• Ausrüstung für die Telekommunikationsinfrastruktur
• Intelligente Mess- und Energiemanagementsysteme
• Eingebettete Systeme, die häufige Datenaktualisierungen erfordern

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Speichertechnologien. Anders als EEPROM oder Flash ermöglicht FRAM sofortiges Schreiben ohne Löschzyklen und verlängert so die Lebensdauer der Komponenten erheblich. Die Technologie zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Schreibbeständigkeit (10^14 Zyklen) aus und eignet sich daher ideal für Anwendungen mit häufigen Datenaktualisierungen. In Kombination mit geringem Stromverbrauch und hohem Zugriffstempo ist FRAM die optimale Wahl für eingebettete Systeme der nächsten Generation.

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