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MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 - Hochleistungsfähiger 2-Mbit-FRAM-Speicher
Der MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 von RAMXEED ist ein hochzuverlässiger 2-Mbit-Ferroelektrischer-RAM (FRAM)-Speicher, der für industrielle Anwendungen mit Bedarf an nichtflüchtigem Speicher, außergewöhnlicher Ausdauer und hohen Schreibgeschwindigkeiten entwickelt wurde. Dieser FRAM mit SPI-Schnittstelle bietet eine überlegene Leistung gegenüber herkömmlichen EEPROM- und Flash-Speichertechnologien.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Extrem schnelle Schreibleistung: 400 µs Schreibzykluszeit bei 9 ns Zugriffszeit eliminiert Schreibverzögerungen
- Außergewöhnliche Langlebigkeit: Die FRAM-Technologie ermöglicht praktisch unbegrenzte Lese-/Schreibzyklen (10^14 Zyklen).
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Breiter Spannungsbereich (1,7 V bis 3,6 V) für energieeffiziente Designs
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Hochgeschwindigkeits-SPI-Schnittstelle: 40 MHz Taktfrequenz für schnelle Datenübertragung
- Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse: Platzsparendes 8-SOIC-Design für dichte Leiterplattenlayouts
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Datenprotokollierung, industrielle Automatisierung, Automobilsysteme, medizinische Geräte, intelligente Zähler und alle Anwendungen, die häufige Aktualisierungen des nichtflüchtigen Speichers ohne Verschleißbedenken erfordern.
Technische Spezifikationen
RoHS-konform: Dieses Produkt erfüllt die Umweltstandards für eingeschränkte Stoffe.
Dank der Qualitätssicherung und des technischen Supports von RAMXEED bietet der MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 die Zuverlässigkeit und Leistung, die Ihre kritischen Anwendungen erfordern.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | Röhre |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 2 Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 40 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 400µs |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |  |
MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2.pdf