MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

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RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 - 4-Mbit-FRAM-Speicher-IC

Hochleistungsfähige 4-Mbit-Ferroelektrische-RAM-Speicherlösung (FRAM) mit SPI-Schnittstelle, entwickelt für industrielle, Automobil- und Luft- und Raumfahrtanwendungen, die eine schnelle, nichtflüchtige Datenspeicherung mit außergewöhnlicher Ausdauer erfordern.

Hauptmerkmale

4 Mbit Speicherkapazität: 512K x 8 Organisation für flexibles Datenmanagement
Ultraschneller Zugriff: 9 ns Zugriffszeit mit 50-MHz-SPI-Schnittstelle
Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 125 °C für anspruchsvolle Umgebungen
Niederspannungsbetrieb: Versorgungsspannung 1,7 V bis 1,95 V
Oberflächenmontagegehäuse: 8-VDFN-Kontaktfläche / 8-DFN (5x6)
RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Anwendungen

Ideal für Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, industrielle Automatisierung, Automobilsysteme und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit unbegrenzter Schreibausdauer und sofortiger Schreibfähigkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	RAMXEED
Produktserie
Verpackung	Tonband und Spule (TR) \| Tonband und Spule (TR)
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	FRAM
Technologie	FRAM (Ferroelektrischer RAM)
Speichergröße	4 Mbit
Speicherorganisation	512K x 8
Speicherschnittstelle	SPI
Taktfrequenz	50 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	9 ns
Spannungsversorgung	1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 125 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten	8-DFN (5x6)
RoHS