MB85RS512TPNF-G-AWE2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS512TPNF-G-AWE2 - 512Kbit FRAM-Speicher-IC
Der MB85RS512TPNF-G-AWE2 von RAMXEED ist ein leistungsstarker 512-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicher-IC (FRAM) mit SPI-Schnittstelle und 30 MHz Taktfrequenz. Diese nichtflüchtige Speicherlösung vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datenstabilität von Flash-Speicher und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation, die schnelle Schreibzyklen und nahezu unbegrenzte Lebensdauer erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Schreibgeschwindigkeit: 400 µs Schreibzykluszeit bei 9 ns Zugriffszeit für schnelle Datenprotokollierung und -speicherung.
- Breiter Betriebsspannungsbereich: 1,8 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
- SPI-Schnittstelle: Industriestandard-Serielle Peripherieschnittstelle für einfache Integration
- Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse: 8-SOIC-Gehäuse (3,90 mm Breite) spart Platz auf der Platine
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
- Hohe Ausdauer: Die FRAM-Technologie ermöglicht praktisch unbegrenzte Lese-/Schreibzyklen.
Anwendungen
Dieser FRAM-Speicher-IC eignet sich perfekt für die Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, Ereignisaufzeichnung, Zählerdatenspeicherung und alle Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit hoher Schreibbeständigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum FRAM-Technologie wählen?
Ferroelektrischer RAM (FRAM) bietet im Vergleich zu herkömmlichem EEPROM und Flash-Speicher eine überlegene Leistung. Mit praktisch unbegrenzter Schreibzyklenzahl (10^14 Zyklen), ultraschnellen Schreibgeschwindigkeiten und geringem Stromverbrauch ist FRAM die ideale Wahl für unternehmenskritische Anwendungen, die eine zuverlässige, schnelle und nichtflüchtige Datenspeicherung erfordern.
Vollständige Dokumentation zur Rückverfolgbarkeit und RoHS/REACH-Konformität auf Anfrage erhältlich.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 512 Kbit |
| Speicherorganisation | 64K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 30 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 400µs |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |

MB85RS512TPNF-G-AWE2.pdf