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RAMXEED

MB85RS512TPNF-G-AWE2

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MB85RS512TPNF-G-AWE2 - 512Kbit FRAM-Speicher-IC

Der MB85RS512TPNF-G-AWE2 von RAMXEED ist ein leistungsstarker 512-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicher-IC (FRAM) mit SPI-Schnittstelle und 30 MHz Taktfrequenz. Diese nichtflüchtige Speicherlösung vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datenstabilität von Flash-Speicher und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation, die schnelle Schreibzyklen und nahezu unbegrenzte Lebensdauer erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Schreibgeschwindigkeit: 400 µs Schreibzykluszeit bei 9 ns Zugriffszeit für schnelle Datenprotokollierung und -speicherung.
  • Breiter Betriebsspannungsbereich: 1,8 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
  • SPI-Schnittstelle: Industriestandard-Serielle Peripherieschnittstelle für einfache Integration
  • Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse: 8-SOIC-Gehäuse (3,90 mm Breite) spart Platz auf der Platine
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
  • Hohe Ausdauer: Die FRAM-Technologie ermöglicht praktisch unbegrenzte Lese-/Schreibzyklen.

Anwendungen

Dieser FRAM-Speicher-IC eignet sich perfekt für die Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, Ereignisaufzeichnung, Zählerdatenspeicherung und alle Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit hoher Schreibbeständigkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum FRAM-Technologie wählen?

Ferroelektrischer RAM (FRAM) bietet im Vergleich zu herkömmlichem EEPROM und Flash-Speicher eine überlegene Leistung. Mit praktisch unbegrenzter Schreibzyklenzahl (10^14 Zyklen), ultraschnellen Schreibgeschwindigkeiten und geringem Stromverbrauch ist FRAM die ideale Wahl für unternehmenskritische Anwendungen, die eine zuverlässige, schnelle und nichtflüchtige Datenspeicherung erfordern.

Vollständige Dokumentation zur Rückverfolgbarkeit und RoHS/REACH-Konformität auf Anfrage erhältlich.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller RAMXEED
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat FRAM
Technologie FRAM (Ferroelektrischer RAM)
Speichergröße 512 Kbit
Speicherorganisation 64K x 8
Speicherschnittstelle SPI
Taktfrequenz 30 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 400µs
Zugriffszeit 9 ns
Spannungsversorgung 1,8 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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