MB85RS512TYPN-G-AWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS512TYPN-G-AWE1 - Hochleistungs-FRAM-Speicherlösung
Der MB85RS512TYPN-G-AWE1 ist ein hochwertiger 512-Kbit-Ferroelektrischer-RAM-Speicherchip (FRAM) von RAMXEED, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser nichtflüchtige Speicher vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Datenspeicherung von Flash und bietet so außergewöhnliche Leistung bei praktisch unbegrenzter Schreibausdauer.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Ultraschneller Zugriff: 9 ns Zugriffszeit mit 50-MHz-SPI-Schnittstelle für schnelle Datenverarbeitung
- Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 1,8 V bis 3,6 V, Temperaturbereich -40 °C bis 125 °C
- Bewährte Zuverlässigkeit: Die FRAM-Technologie bietet 10 Billionen Schreibzyklen mit 10 Jahren Datenspeicherung.
- Originalkomponenten: Lagerbestand autorisierter Händler mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
- Designfertig: 8-VDFN-Gehäuse mit freiliegenden Kontaktflächen (5 x 6 mm) für effizientes Wärmemanagement
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung, Parametererhaltung und Echtzeitsysteme, die sofortige Schreibfähigkeit ohne Verschleißbedenken erfordern. Die 64K x 8-Organisation ermöglicht ein flexibles Speichermapping für eingebettete Systeme.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualitätssicherung: Alle Komponenten stammen von autorisierten Händlern und sind vollständig rückverfolgbar. RoHS-konform. Langfristige Produktlebenszyklusgarantie gewährleistet die Verfügbarkeit für Ihre Produktionsanforderungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | RAMXEED |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 512 Kbit |
| Speicherorganisation | 64K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 50 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 9 ns |
| Spannungsversorgung | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 125 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |

MB85RS512TYPN-G-AWE1.pdf