MB85RS64TUPN-G-AMEWE1

MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 - Hochzuverlässiger 64-Kbit-FRAM-Speicher-IC

Der MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 ist ein hochwertiger 64-Kbit-FRAM-IC (Ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher), der für unternehmenskritische Anwendungen mit Anforderungen an nichtflüchtigen Speicher und herausragender Leistung entwickelt wurde. Hergestellt von RAMXEED, bietet diese industrietaugliche Speicherkomponente die optimale Balance aus Geschwindigkeit, Ausdauer und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Embedded-Systeme.

Wichtigste Vorteile und Funktionen

• Nichtflüchtiger Speicher: Speichert Daten auch ohne Stromversorgung, wodurch der Bedarf an einer Notstromversorgung entfällt.
• Schnelle Schreibleistung: Hochgeschwindigkeits-SPI-Schnittstelle mit 10 MHz für schnellen Datenzugriff
• Nahezu unbegrenzte Lebensdauer: 10 Billionen (10^13) Lese-/Schreibzyklen – weit mehr als EEPROM und Flash-Speicher.
• Geringer Stromverbrauch: Breiter Spannungsbereich (1,8 V – 3,6 V), optimiert für batteriebetriebene Anwendungen
• Industrieller Temperaturbereich: Betrieb von -55 °C bis +85 °C für raue Umgebungen
• RoHS-konform: Umweltfreundlich und gesetzeskonform

Technische Spezifikationen

Zielanwendungen

Der MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 eignet sich ideal für Anwendungen, die häufige Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung und Parametererhaltung erfordern:

• Automobilsysteme: ECU-Datenaufzeichnung, Kilometerzählerspeicherung, Kalibrierungsparameter
• Industrieautomation: SPS-Konfiguration, Sensordatenpufferung, Ereignisprotokollierung
• IoT-Geräte: Intelligente Sensoren, drahtlose Module, Edge-Computing-Knoten
• Medizintechnik: Patientendatenspeicherung, Gerätekonfiguration, Nutzungsanalyse
• Intelligente Zähler: Energieverbrauchsdaten, Manipulationserkennung, Abrechnungsinformationen
• Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Flugdatenschreiber, Speicherung missionskritischer Parameter

Warum FRAM-Technologie wählen?

FRAM vereint die besten Eigenschaften von RAM und nichtflüchtigem Speicher. Im Gegensatz zu Flash- oder EEPROM-Speichern erfolgen FRAM-Schreibvorgänge sofort und erfordern keine Löschzyklen. Dadurch eignet es sich ideal für Anwendungen mit häufigen Schreibvorgängen. Der ferroelektrische Speichermechanismus gewährleistet die Datenerhaltung für über 10 Jahre bei minimalem Stromverbrauch.

Authentizitäts- und Lebenszyklusunterstützung

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