MS85R4M2TAFN-G-JAE2

RAMXEED MS85R4M2TAFN-G-JAE2 - 4-Mbit-Parallel-FRAM-Speicher

Hochleistungsfähige ferroelektrische RAM-Lösung (FRAM) für nichtflüchtigen Speicher mit hohen Schreibgeschwindigkeiten und außergewöhnlicher Lebensdauer. Der MS85R4M2TAFN-G-JAE2 vereint die Geschwindigkeit von SRAM mit der Nichtflüchtigkeit von Flash-Speicher und ist ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und der Telekommunikation, die eine zuverlässige Datenspeicherung erfordern.

Hauptmerkmale

• 4 Mbit FRAM-Kapazität , organisiert als 256K x 16 für flexible Datenspeicherung
• Die ultraschnelle Zugriffszeit von 125 ns ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Lese-/Schreibvorgänge.
• Parallele Schnittstelle zur einfachen Integration in bestehende Systeme
• Breiter Spannungsbereich (1,8 V - 3,6 V) unterstützt diverse Stromversorgungsarchitekturen
• Erweiterter Temperaturbereich (-40 °C bis 105 °C) für raue Umgebungen
• Oberflächenmontierbares 44-TSOP-Gehäuse, optimiert für die automatisierte Montage
• RoHS-konform und erfüllt Umweltstandards

Anwendungen

Ideal für unternehmenskritische Systeme, die eine sofortige Datenprotokollierung, Konfigurationsspeicherung oder Ereignisaufzeichnung ohne die Schreibverzögerungen herkömmlicher Flash-Speicher erfordern. Häufig eingesetzt in der Industrieautomation, intelligenten Zählern, Medizingeräten und eingebetteten Steuerungssystemen.

Echtheit garantiert

Direkt von autorisierten Händlern bezogen, mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit. Jedes Gerät wird mit vollständigen Datenblättern und Konformitätszertifikaten geliefert.

Vollständige technische Spezifikationen

• MS85R4M2TAFN-G-JAE2.pdf