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Micron Technology Inc.

MT29F1G08ABCHC:C TR

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Micron MT29F1G08ABCHC:C TR - Hochzuverlässiger 1-Gbit-NAND-Flash-Speicher

Der MT29F1G08ABCHC:C TR von Micron Technology bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizintechnik und Telekommunikation. Dieser 1-Gbit-NAND-Flash-Speicher verfügt über eine 128M x 8-Struktur mit paralleler Schnittstelle und wurde speziell für die hohen Anforderungen professioneller Systeme entwickelt.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 1 Gbit Speicherkapazität bietet ausreichend Platz für Daten und Firmware eingebetteter Systeme.
  • Parallele Schnittstelle: Ermöglicht eine schnelle und effiziente Datenübertragung für zeitkritische Anwendungen.
  • Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 70 °C in industriellen Umgebungen
  • Niederspannungsbetrieb: Eine Versorgungsspannung von 1,7 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz.
  • Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 63-VFBGA-Gehäuse (10,5 x 13 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser hochzuverlässige NAND-Flash-Speicher wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie eingebettete Systeme, Datenprotokollierung, Firmware-Speicherung, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Medizingeräte und Telekommunikationsausrüstung entwickelt. Die nichtflüchtige Architektur gewährleistet den Datenerhalt auch bei Stromausfall und ist somit ideal für kritische Systemabläufe.

Qualität & Konformität

Der von Micron Technology Inc., einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterlösungen, hergestellte MT29F1G08ABCHC:C TR erfüllt strenge Qualitätsstandards und die RoHS-Umweltrichtlinien. Jede Einheit wird in Gurtverpackung für automatisierte Montageprozesse geliefert.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Flash-Speicher - NAND
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 63-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 63-VFBGA (10,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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