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MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €81.476,95 EUR | €81.476,95 EUR |
| 15+ | €74.958,79 EUR | €1.124.381,85 EUR |
| 25+ | €73.329,26 EUR | €1.833.231,50 EUR |
| 50+ | €69.255,41 EUR | €3.462.770,50 EUR |
| 100+ | €61.107,71 EUR | €6.110.771,00 EUR |
| N+ | €12.221,54 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR - 1-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC
Der MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR von Micron Technology Inc. ist ein leistungsstarker 1-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC, der für unternehmenskritische Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Diese Komponente in Industriequalität verfügt über eine parallele Schnittstelle mit einer Speicherorganisation von 64M x 16 und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme und eingebettete Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 1 Gbit (128 MB) Kapazität in einem kompakten 63-VFBGA-Gehäuse
- Parallele Schnittstelle: Schneller Datenzugriff mit 64M x 16 Speicherorganisation
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C (TA)
- Geringer Stromverbrauch: 1,7 V bis 1,95 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
- Oberflächenmontagetechnik: 63-VFBGA-Gehäuse (9x11) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser NAND-Flash-Speicher-IC eignet sich perfekt für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern
- Automotive Infotainment- und ADAS-Anwendungen
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinprodukte und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Systeme und IoT-Geräte
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Flash-Speicher - NAND |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 63-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
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