MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR

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Micron MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR - 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC

Der MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR von Micron Technology ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC, der für industrielle Anwendungen entwickelt wurde, die eine langfristige Verfügbarkeit und robuste Leistung über erweiterte Temperaturbereiche erfordern.

Hauptmerkmale:

2 Gbit Speicherkapazität – 256 MB x 8-Organisation für flexible Datenspeicherung
Parallele Schnittstelle – Bewährte Schnittstellentechnologie für zuverlässige Kommunikation
Industrieller Temperaturbereich – Betrieb von -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
Oberflächenmontierbares 63-VFBGA-Gehäuse – Kompakte 9x11-mm-Bauform für platzsparende Designs
RoHS-konform – Erfüllt die Umweltstandards globaler Märkte
Breiter Versorgungsspannungsbereich – Betrieb mit 2,7 V bis 3,6 V für flexible Designmöglichkeiten

Anwendungsbereiche:

Ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur, wo Langzeitsupport und Rückverfolgbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen:

Autorisierter Vertriebspartner – Volle Rückverfolgbarkeit, Einhaltung der Originalherstellerspezifikationen und langfristige Produktlebenszyklusgarantie.

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung	\| Tonband & Spule (TR)
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	BLITZ
Technologie	Flash-Speicher - NAND
Speichergröße	2 Gbit/s
Speicherorganisation	256 m x 8
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Spannungsversorgung	2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	63-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	63-VFBGA (9x11)
RoHS