MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR

Micron MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR - 4-Gbit-NAND-Flash-Speicher

Hochleistungsfähiger 4-Gbit-NAND-Flash-Speicher von Micron Technology Inc., entwickelt für industrielle Anwendungen, die zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher erfordern. Dieser Speicherchip mit paralleler Schnittstelle verfügt über eine 512M x 8-Struktur und arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C. Dadurch eignet er sich ideal für anspruchsvolle Umgebungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Telekommunikation und der Medizintechnik.

Hauptmerkmale:

• Speicherkapazität: 4 Gbit (512 MB x 8 Organisation)
• Technologie: NAND-Flash – Nichtflüchtiger Speicher
• Schnittstelle: Parallel für Hochgeschwindigkeits-Datenzugriff
• Betriebsspannung: 2,7 V bis 3,6 V für flexible Stromversorgung
• Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (Industriequalität)
• Gehäuse: 63-VFBGA (9x11mm) Oberflächenmontage
• Verpackung: Gurt und Rolle für die automatisierte Montage
• Konformität: RoHS-konform hinsichtlich Umweltstandards

Anwendungsbereiche:

Ideal für eingebettete Systeme, Datenprotokollierung, Firmware-Speicherung, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte und Telekommunikationsgeräte, die eine langfristige Datenspeicherung und Zuverlässigkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen:

Warum Micron NAND-Flash wählen?

Micron Technology ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen und bietet bewährte Zuverlässigkeit, umfassenden Support über den gesamten Produktlebenszyklus sowie eine detaillierte technische Dokumentation. Diese Komponente unterliegt der Qualitätssicherung von Micron und eignet sich für Anwendungen, die langfristige Verfügbarkeit und Rückverfolgbarkeit erfordern.

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