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MT41J256M16HA-125:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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MT41J256M16HA-125:E TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher
Der MT41J256M16HA-125:E TR von Micron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherbaustein, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Dieser Speicher mit paralleler Schnittstelle bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer Zugriffszeit von 13,75 ns.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Kapazität: 4 Gbit Speichergröße mit 256M x 16 Organisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 13,75 ns Zugriffszeit
- Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Anwendungen
- Zuverlässige Stromversorgung: Versorgungsspannung 1,425 V bis 1,575 V
- Platzsparend: Kompaktes 96-FBGA (9x14) SMD -Gehäuse
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und Automobilelektronik, die schnelle, zuverlässige flüchtige Speicherlösungen benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum sollten Sie sich für unseren autorisierten Vertriebspartner entscheiden?
Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, langfristigen Support und Unterstützung bei der Produktentwicklung, um den Erfolg Ihres Projekts sicherzustellen. Alle Komponenten stammen direkt von Micron Technology und garantieren höchste Echtheit und Qualität.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 13,75 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-FBGA (9x14) |
| RoHS |  |
MT41J256M16HA-125:E TR.pdf