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MT41K256M16V00HWC1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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MT41K256M16V00HWC1 - Hochzuverlässiger DDR3L SDRAM-Speicher
Der MT41K256M16V00HWC1 von Micron Technology Inc. ist eine Premium-4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherlösung, die für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser leistungsstarke flüchtige Speicher bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 4 Gbit Kapazität mit 256M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe eingebettete Systeme.
- Betrieb mit niedriger Spannung: Die DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Stromverbrauch bei gleichbleibender Leistung.
- Erweiterter Temperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) und eignet sich daher für raue Industrieumgebungen.
- Parallele Schnittstelle: Die standardisierte parallele Speicherschnittstelle gewährleistet eine breite Kompatibilität mit bestehenden Systemarchitekturen.
- Chipgehäuse: Kompakte Chipform ermöglicht flexible Integration in platzbeschränkte Designs
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Diese hochzuverlässige Speicherkomponente ist ideal für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die eine nachgewiesene Zuverlässigkeit erfordern
- Fahrzeugelektronik und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
Qualität & Konformität
Der MT41K256M16V00HWC1 erfüllt strenge Qualitätsstandards und ist RoHS-konform, wodurch Umweltverantwortung und die Einhaltung gesetzlicher Vorschriften für den weltweiten Einsatz gewährleistet werden.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Massenware | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | - |
| Verpackung / Gehäuse | Sterben |
| Gerätepaket des Lieferanten | Sterben |
| RoHS |  |
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