MT41K512M8RH-107:E TR

Micron MT41K512M8RH-107:E TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher

Der MT41K512M8RH-107:E TR von Micron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherbaustein, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Dieser oberflächenmontierbare Speicherchip verfügt über eine 512M x 8-Architektur mit paralleler Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 933 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
• Geringer Stromverbrauch: DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V ~ 1,45 V für hohe Energieeffizienz.
• Breiter Temperaturbereich: 0 °C ~ 95 °C (TC) Betriebstemperatur für industrielle Anwendungen
• Kompaktes Gehäuse: 78-TFBGA (9 x 10,5 mm) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
• Autorisierter Vertrieb: Vollständige Rückverfolgbarkeit, Lebenszyklus-Support und Design-In-Ressourcen verfügbar

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser DDR3L SDRAM ist ideal für:

• Eingebettete Computersysteme
• Industrielle Automatisierung und Steuerung
• Telekommunikationsinfrastruktur
• Medizinische Diagnosegeräte
• Automobilelektronik
• Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme

Qualität & Konformität

RoHS-konform. Umfassende Dokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikate und langfristige Produktlebenszyklusgarantie sind verfügbar. Kontaktieren Sie uns für Designunterstützung, technische Spezifikationen und Mengenrabatte.

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