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Micron Technology Inc.

MT41K512M8RH-125:E TR

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Micron MT41K512M8RH-125:E TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher

Der MT41K512M8RH-125:E TR von Micron Technology ist ein 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Halbleiterkomponente verfügt über eine 512M x 8-Speicherstruktur und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 800 MHz bei einer niedrigen Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 13,75 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Energieeffizient: Die DDR3L-Niederspannungstechnologie (1,283 V ~ 1,45 V) reduziert den Stromverbrauch.
  • Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Anwendungen
  • Kompakte Oberflächenmontage: 78-TFBGA-Gehäuse (9 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Standards.
  • Autorisierter Vertrieb: Vollständige Rückverfolgbarkeit, Support über den gesamten Lebenszyklus und Originalkomponenten von Micron.

Anwendungen

Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und andere Anwendungen, die einen zuverlässigen, leistungsstarken flüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.

Technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für unseren autorisierten Vertriebspartner entscheiden?

Als autorisierter Micron-Distributor bieten wir Ihnen Originalkomponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeitsdokumentation, technischer Design-In-Unterstützung und langfristigem Produktlebenszyklus-Service. Zu unseren Mehrwertleistungen gehören weltweiter Versand, Bestandsmanagement und kompetente technische Beratung, um den Erfolg Ihres Projekts sicherzustellen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 512 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 13,75 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-FBGA (9x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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