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MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR - Automotive Grade LPDDR2 SDRAM
Der MT42L16M32D1HE-18 AAT:E TR von Micron Technology ist ein leistungsstarker 512-Mbit-LPDDR2-SDRAM-Speicher, der speziell für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Dieser flüchtige Speicher in Automobilqualität bietet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen und erfüllt die AEC-Q100-Standards. Er verfügt über einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Zuverlässigkeit auf Automobilniveau: AEC-Q100-qualifiziert für unternehmenskritische Automobilsysteme
- Hohe Leistungsfähigkeit: 533 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
- Optimale Speicherkonfiguration: 512 Mbit Kapazität, organisiert als 16M x 32
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC)
- Geringer Stromverbrauch: Versorgungsspannung von 1,14 V bis 1,3 V für optimale Energieeffizienz
- Oberflächenmontage-Design: Kompaktes 134-VFBGA-Gehäuse (10x11,5 mm)
- Produktionsfertig: Erhältlich in Gurtverpackung für die automatisierte Montage
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser LPDDR2 SDRAM eignet sich perfekt für Infotainmentsysteme im Automobilbereich, Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Instrumententafeln, Navigationssysteme und andere Automobilelektronik, die eine schnelle und zuverlässige Speicherleistung unter rauen Umgebungsbedingungen erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
RoHS-konform – Dieses Produkt erfüllt die Umweltstandards für die Reduzierung gefährlicher Stoffe.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | Automobil |
| Qualifikation | AEC-Q100 |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
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