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Micron Technology Inc.

MT42L16M32D1HE-18 AUT:E

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Recycling Electronic Components

Micron MT42L16M32D1HE-18 AUT:E - Automotive-Grade LPDDR2 SDRAM Speicher-IC

Der MT42L16M32D1HE-18 AUT:E von Micron Technology ist ein leistungsstarker, für die Automobilindustrie qualifizierter 512-Mbit-LPDDR2-SDRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und eingebetteten Systemen entwickelt wurde, die einen erweiterten Temperaturbereich und eine lange Lebensdauer erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Zuverlässigkeit auf Automobilniveau: AEC-Q100-qualifiziert für anspruchsvolle Automobilumgebungen
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 125 °C (TC) für raue Bedingungen
  • Hohe Leistung: 533 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
  • Optimierte Leistung: Stromsparende LPDDR2-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,14 V bis 1,3 V
  • Flexible Organisation: 512 Mbit Kapazität konfiguriert als 16M x 32 parallele Schnittstelle
  • Oberflächenmontagegehäuse: Kompaktes 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) für platzsparende Designs
  • Vollständige Rückverfolgbarkeit: Lagerbestand des autorisierten Händlers mit vollständiger Herstellerdokumentation.

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Infotainmentsysteme im Automobilbereich, ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), Instrumententafeln, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb und langfristiger Verfügbarkeit erfordern.

Warum sollten Sie sich für einen autorisierten Vertrieb entscheiden?

Unsere Partnerschaft mit Micron Technology als autorisierter Vertriebspartner garantiert Ihnen Originalkomponenten mit voller Herstellergarantie, vollständiger Rückverfolgbarkeit sowie Zugang zu technischem Support und Referenzdesigns für eine schnellere Markteinführung.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TC)
Grad Automobil
Qualifikation AEC-Q100
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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