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Micron Technology Inc.

MT47H64M16NF-25E XIT:M TR

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MT47H64M16NF-25E XIT:M TR - Hochleistungs-DDR2-SDRAM-Speicher-IC

Der Micron MT47H64M16NF-25E XIT:M TR ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Dieser DRAM mit paralleler Schnittstelle verfügt über eine 64M x 16-Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und bietet außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit über einen weiten Temperaturbereich.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 1 Gbit Kapazität mit 64M x 16 Organisation für effiziente Datenspeicherung
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 400 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 400 ps Zugriffszeit
  • Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
  • Industriestandard-Schnittstelle: Parallele DDR2-SDRAM-Schnittstelle für breite Kompatibilität
  • Kompaktes Gehäuse: 84-TFBGA (8x12,5 mm) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
  • Niederspannungsbetrieb: 1,7 V bis 1,9 V Versorgungsspannung für optimale Energieeffizienz
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
  • Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für automatisierte Montageprozesse

Anwendungen

Ideal für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die langfristigen Support und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.

Warum diesen Speicher-IC wählen?

Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, umfassende Unterstützung über den gesamten Produktlebenszyklus hinweg sowie technische Unterstützung bei der Integration in Ihre Systeme. Alle Komponenten stammen direkt von Micron Technology Inc. und gewährleisten so Authentizität und höchste Qualität für Ihre geschäftskritischen Anwendungen.

Technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 400 PS
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,9 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 84-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 84-FBGA (8x12,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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