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Micron Technology Inc.

MT48H8M16LFB4-8:J

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Micron MT48H8M16LFB4-8:J - 128 Mbit Mobile LPSDR SDRAM Speicher

Der MT48H8M16LFB4-8:J von Micron Technology ist ein leistungsstarker 128-Mbit-SDRAM-Speicher mit niedrigem Stromverbrauch, der speziell für energieempfindliche mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM-Speicher verfügt über eine 8M x 16-Architektur mit paralleler Schnittstelle und bietet zuverlässige Leistung bei einer Taktfrequenz von 125 MHz und einer Zugriffszeit von 7 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Geringer Stromverbrauch: 1,7 V ~ 1,9 V Versorgungsspannung, optimiert für mobile Geräte
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 125 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus
  • Kompaktes Gehäuse: 54-VFBGA (8x8) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
  • Breiter Temperaturbereich: 0 °C ~ 70 °C Betriebstemperatur für industrielle Anwendungen
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Mobiltelefone, tragbare Mediaplayer, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen und andere batteriebetriebene Geräte, die zuverlässige Speicherlösungen mit geringem Stromverbrauch benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 125 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,9 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 54-VFBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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