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Micron Technology Inc.

MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR

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Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile DRAM

Der Micron MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR ist ein leistungsstarker 2-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und hoher Datenübertragungsrate entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer Taktfrequenz von 2,133 GHz bietet dieser flüchtige DRAM zuverlässige Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen von -30 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 2,133 GHz gewährleistet einen schnellen Datenzugriff für mobiles Computing und Echtzeitverarbeitung.
  • Energiesparendes Design: Die Versorgungsspannung von 1,1 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene Geräte und verlängert die Laufzeit.
  • Breiter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -30 °C bis 85 °C (TC) unterstützt Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und in rauen Umgebungen.
  • Bewährte Zuverlässigkeit: Hergestellt von Micron Technology Inc., einem weltweit führenden Anbieter von Speicherlösungen mit jahrzehntelanger Erfahrung in der Halbleiterindustrie.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für die Beschränkung gefährlicher Stoffe und gewährleistet so die Einhaltung gesetzlicher Vorschriften.
  • Praktische Verpackung: Das Gurt- und Rollenformat (TR) vereinfacht automatisierte Montageprozesse und die Fertigung großer Stückzahlen.
  • Vollständige Rückverfolgbarkeit: Umfassende Unterstützung und Dokumentation über den gesamten Lebenszyklus hinweg für langfristige Produktentwicklungs-Roadmaps.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser LPDDR4 SDRAM eignet sich perfekt für:

  • Smartphones und Mobiltelefone
  • Tablets und tragbare Computergeräte
  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • IoT-Geräte und Edge-Computing-Plattformen
  • Industrielle eingebettete Systeme
  • Medizinische Geräte, die eine zuverlässige Speicherleistung erfordern

Vollständige technische Spezifikationen

Warum diese Komponente wählen?

Dank Microns jahrzehntelanger Erfahrung in der Halbleitertechnologie bietet der MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR die optimale Balance aus Leistung, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit für mobile und eingebettete Systeme der nächsten Generation. Vollständige Rückverfolgbarkeit und umfassender Support über den gesamten Lebenszyklus gewährleisten, dass Ihre Produktentwicklung planmäßig verläuft.

Technischer Support und Dokumentation

Vollständige Datenblätter, Anwendungshinweise und technische Ressourcen stehen Ihnen zur Unterstützung Ihres Design-In-Prozesses zur Verfügung. Unser Team bietet umfassendes Lebenszyklusmanagement und Transparenz in der Lieferkette für unternehmenskritische Anwendungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle -
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,1 V
Betriebstemperatur -30 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart -
Verpackung / Gehäuse -
Gerätepaket des Lieferanten -
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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