NAND02GW3B2DN6E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Micron NAND02GW3B2DN6E - 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC
Der NAND02GW3B2DN6E von Micron Technology ist ein hochdichter 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer 256M x 8-Struktur und paralleler Schnittstelle bietet diese Komponente eine schnelle Zugriffszeit von 25 ns und ist für einen industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C geeignet.
Hauptmerkmale und Vorteile:
- Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität in einem kompakten 48-TSOP-SMD-Gehäuse
- Hohe Leistung: Zugriffszeit und Schreibzyklus von 25 ns für reaktionsschnelle Datenoperationen
- Industriequalität: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für anspruchsvolle Umgebungen
- Flexible Stromversorgung: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für vielseitige Systemintegration
- Parallele Schnittstelle: Standardmäßige parallele Schnittstelle für die einfache Integration
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und gesetzeskonform
Ideale Anwendungsbereiche:
Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, eingebettete Computerplattformen und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, langlebigen, nichtflüchtigen Speicher mit vollständiger Rückverfolgbarkeit durch den Hersteller erfordern.
Garantie des autorisierten Händlers:
Wir liefern ausschließlich Lagerware autorisierter Händler mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und Garantieleistungen. Jedes Gerät wird über offizielle Kanäle bezogen, um Authentizität und langfristige Verfügbarkeit für Ihre kritischen Programme zu gewährleisten.
Vollständige technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Flash-Speicher - NAND |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25 ns |
| Zugriffszeit | 25 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 48-TSOP |
| RoHS |

NAND02GW3B2DN6E.pdf