Insignis Technology Corporation
NDB18PFB-4DIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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NDB18PFB-4DIT TR - Hochleistungs-DDR2-SDRAM-Speicher-IC
Der NDB18PFB-4DIT TR von Insignis Technology Corporation ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese industrietaugliche Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und einem breiten Betriebstemperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 1 Gbit Kapazität mit 128M x 8 Organisation für effiziente Datenspeicherung
- Hohe Leistungsfähigkeit: 400 MHz Taktfrequenz mit 450 ps Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
- DDR2 SDRAM-Technologie: Bewährte SSTL_18-Schnittstelle für Kompatibilität und Zuverlässigkeit
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 60-TFBGA (8x10mm) für platzsparende Leiterplattendesigns
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Praktische Verpackung: Gurt- und Rollenformat für automatisierte Montageprozesse
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Automobilelektronik und Telekommunikationsinfrastrukturen, die eine lange Lebensdauer und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die aktuellsten Informationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | NDB1L |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SSTL_18 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 450 PS |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 60-FBGA (8x10) |
| RoHS |
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