Insignis Technology Corporation
NDD58PT6-2AET
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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NDD58PT6-2AET - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-DDR-SDRAM-Speicher-IC
Der NDD58PT6-2AET von Insignis Technology Corporation bietet zuverlässige und schnelle Speicherleistung für geschäftskritische Embedded-Anwendungen. Dieser 512-Mbit-DDR-SDRAM verfügt über eine 64M x 8-Speicherorganisation und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz. Dadurch eignet er sich ideal für industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, Automobilelektronik und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 200 MHz gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
- Robuste Speicherarchitektur: 64M x 8-Organisation mit SSTL_2-Schnittstelle für zuverlässige Signalintegrität
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 70 °C (TA) für anspruchsvolle Umgebungen
- Flexible Stromversorgung: 2,3 V bis 2,7 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 66-TSOP II-Gehäuse (0,400", 10,16 mm Breite), optimiert für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der NDD58PT6-2AET wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern, darunter industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte, Netzwerkrouter und -switches, Infotainmentsysteme für die Automobilindustrie sowie Avionik für die Luft- und Raumfahrt. Sein breiter Betriebstemperaturbereich und seine robuste Bauweise gewährleisten eine gleichbleibende Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SSTL_2 |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 66-TSOP II |
| RoHS |
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