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Insignis Technology Corporation
NDD58PT6-2AET TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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NDD58PT6-2AET TR - Hochleistungs-DDR-SDRAM-Speicher-IC
Der NDD58PT6-2AET TR von Insignis Technology Corporation ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilindustrie und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Dieser flüchtige Speicherchip verfügt über eine 64M x 8-Architektur mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer SSTL_2-Schnittstelle und bietet so eine robuste Leistung in unternehmenskritischen Umgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- 512 Mbit Speicherkapazität: Die 64M x 8-Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für datenintensive Anwendungen.
- 200 MHz Taktfrequenz: Schnelle Datenübertragungsraten für Echtzeitverarbeitungsanforderungen
- SSTL_2-Schnittstelle: Industriestandard-Schnittstelle, die eine breite Kompatibilität gewährleistet
- Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 70 °C (TA) für zuverlässigen Betrieb in unterschiedlichen Umgebungen
- Niederspannungsbetrieb: 2,3 V bis 2,7 V Versorgungsspannung für energieeffizienten Betrieb
- Oberflächenmontagegehäuse: 66-TSOP II (66-TSSOP) für platzsparende Leiterplattenintegration
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
Anwendungen
Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Fahrzeugsteuerungssysteme, industrielle Automatisierung, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und hochzuverlässige eingebettete Systeme, die schnelle, flüchtige Speicherlösungen erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SSTL_2 |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
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