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Insignis Technology Corporation

NDS63PT9-16ET TR

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Der NDS63PT9-16ET TR ist ein leistungsstarker 64-Mbit-SDRAM-Speicherchip der Insignis Technology Corporation, der für unternehmenskritische Anwendungen mit höchsten Anforderungen an Zuverlässigkeit und Leistung entwickelt wurde. Diese flüchtige DRAM-Lösung verfügt über eine 2M x 32-Speicherorganisation mit LVTTL-Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 166 MHz für schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.

Hauptmerkmale:

  • 64 Mbit Speicherkapazität mit 2M x 32 Organisation
  • Hohe Taktfrequenz von 166 MHz für schnellen Datendurchsatz
  • LVTTL-Schnittstelle für breite Kompatibilität
  • Versorgungsspannungsbereich: 3 V bis 3,6 V
  • Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C (TA)
  • Oberflächenmontierbares 86-TSOP-II-Gehäuse für platzsparendes Leiterplattendesign
  • Gurt- und Rollenverpackungen für automatisierte Montageprozesse
  • RoHS-konform für Umweltschutz

Anwendungsbereiche:

Dieser SDRAM-Speicherchip wurde für anspruchsvolle Umgebungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilelektronik, industriellen Steuerungssystemen, medizinischen Geräten und der Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt, wo Zuverlässigkeit und gleichbleibende Leistung von größter Bedeutung sind.

Technische Spezifikationen:

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie NDS63P
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 2 m x 32
Speicherschnittstelle LVTTL
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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